Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 827-4088
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9024NTRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 827-4088
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9024NTRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 175mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 175mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 11A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 38W maximale Verlustleistung - IRFR9024NTRPBF
Dieser P-Kanal-MOSFET, der die HEXFET-Technologie nutzt, bietet eine effiziente Leistung in einer Reihe von elektronischen Anwendungen. Seine robusten Eigenschaften machen ihn zu einem unverzichtbaren Bauteil für Anwender in der Automatisierung, der Elektronik sowie im elektrischen und mechanischen Bereich. Das Produkt ist in der Lage, hohe Stromlasten zu bewältigen und gleichzeitig eine effektive Steuerung in Stromkreisen zu gewährleisten.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler Dauerstrom von 11 A ermöglicht Hochleistungsanwendungen
• Kann einer Drain-Source-Spannung von bis zu 55 V standhalten und sorgt so für erhöhte Zuverlässigkeit
• Niedriger RDS(on) von 175 mΩ minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs
• Das Design des Enhancement-Modus optimiert die Effizienz für verschiedene Anwendungen
• Das oberflächenmontierbare DPAK TO-252-Gehäuse vereinfacht die Leiterplattenintegration und -montage
Anwendungsbereich
• Effektives Energiemanagement in Stromversorgungsschaltungen
• Geeignet für Motorsteuerung mit hohem Strombedarf
• Einsatz in DC-DC-Wandlern zur Verbesserung der Effizienz
• Ideal zum Schalten von Lasten wegen der schnellen Reaktionszeiten
• Einsatz in industriellen Automatisierungssystemen für zusätzliche Zuverlässigkeit
Wie hoch ist die maximale Verlustleistung dieses Bauteils?
Er hat eine maximale Verlustleistung von 38 W.
Wie verhält sich das Produkt bei Gate-Spannungen?
Das Gate kann Spannungen von -20 V bis +20 V aufnehmen, was eine flexible Gestaltung ermöglicht.
Wie ist die Wärmeleistung des Geräts?
Er arbeitet sicher bei einer Höchsttemperatur von 150 °C und gewährleistet Zuverlässigkeit in unterschiedlichen Umgebungen.
Ist es einfach, es auf einer Leiterplatte zu montieren?
Ja, das DPAK TO-252-Gehäuse ermöglicht eine einfache Oberflächenmontage auf Leiterplatten.
Wie verhält sich dieser MOSFET bei unterschiedlichen Temperaturen?
Es bleibt in einem weiten Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C funktionsfähig und erfüllt so die unterschiedlichsten Anwendungsanforderungen.
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