Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 20 A 79 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-4474
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR9343TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.11.98
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF.0.599 | CHF.12.03 |
| 100 - 180 | CHF.0.567 | CHF.11.42 |
| 200 - 480 | CHF.0.557 | CHF.11.19 |
| 500 - 980 | CHF.0.525 | CHF.10.46 |
| 1000 + | CHF.0.483 | CHF.9.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4474
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR9343TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser digitale Infineon Audio-HEXFET wurde speziell für Klasse-D-Audioverstärkeranwendungen entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Er verfügt über eine sich wiederholende Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
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