Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2627
Herst. Teile-Nr.:
IRFR5505TRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Breite

2.39 mm

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal und -55 V in einem D-Pak-Gehäuse.

RoHS-kompatibel

Niedriger RDS (EIN)

Branchenführende Qualität

Dynamische dv/dt-Bewertung

Fast Switching

Voll-Avalanche-Bewertung

Betriebstemperatur von 175 °C

P-Kanal-MOSFET

Verwandte Links