Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -55 V / -11 A 38 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 262-6769
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9024NTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.819.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 23. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.273 | CHF.806.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-6769
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9024NTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 175mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 175mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Vollständig lawinenbeständig
Schnelles Schalten
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -55 V / -11 A 38 W, 3-Pin IRFR9024NTRLPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IRFR9024NTRPBF TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin AUIRFR9024NTRL TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin IRFU9024NPBF IPAK
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin TO-252