Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -55 V / -11 A 38 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 262-6770
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-678
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9024NTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 262-6770
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-678
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9024NTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -55V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 175mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -55V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 175mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Sie bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
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