Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 18 A 57 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2626
Herst. Teile-Nr.:
IRFR5505TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Breite

2.39 mm

Höhe

6.22mm

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal und -55 V in einem D-Pak-Gehäuse.

RoHS-kompatibel

Niedriger RDS (EIN)

Branchenführende Qualität

Dynamische dv/dt-Bewertung

Fast Switching

Voll-Avalanche-Bewertung

Betriebstemperatur von 175 °C

P-Kanal-MOSFET

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