Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 25 A 57 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 165-5922
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3105TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2000 Stück, auf einer Rolle mit 2000)*
CHF 626.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | CHF 0.313 | CHF 620.14 |
| 4000 + | CHF 0.293 | CHF 589.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-5922
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3105TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 43mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +16V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 43mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +16V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 25A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 57W maximale Verlustleistung - IRLR3105TRPBF
Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen vorgesehen, bei denen die Steuerung der elektrischen Leistung entscheidend ist. Er bietet effizientes Schalten und effektives Wärmemanagement und funktioniert in einem weiten Temperaturbereich, was ihn zu einer vorteilhaften Wahl für Fachleute in den Bereichen Automatisierung, Elektronik und Elektrik macht.
Eigenschaften und Vorteile
• Verbessert die Effizienz mit niedrigem Rds(on) für geringere Verlustleistung
• Unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 25 A
• Ermöglicht zwei Gate-Source-Spannungspegel für zusätzliche Flexibilität
• Behält seine thermische Stabilität bei einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C bei
• Kompaktes DPAK TO-252-Gehäuse für einfache Oberflächenmontage
• Konzipiert für schnelle Schaltgeschwindigkeiten für verbesserte Leistung
Anwendungsbereich
• Steuert Motorantriebe in Automatisierungssystemen
• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen zur Steigerung der Energieeffizienz
• Integriert in DC-DC-Wandler für elektronische Geräte
• Geeignet für Industrieanlagen, die eine hohe Zuverlässigkeit erfordern
• Einsatz in Batteriemanagementsystemen für optimalen Betrieb
Wie groß ist der Betriebstemperaturbereich?
Der Betriebstemperaturbereich reicht von -55°C bis +175°C und bietet somit Vielseitigkeit in verschiedenen Umgebungen.
Wie verhält es sich mit der Schaltgeschwindigkeit?
Er ist für schnelles Schalten ausgelegt und gewährleistet hohe Leistung bei Anwendungen, die schnelle Ein-Aus-Zyklen erfordern.
Welche Art der Befestigung wird unterstützt?
Dieser Baustein ist für die Oberflächenmontage unter Verwendung von Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken konzipiert.
Kann es in Hochspannungsanwendungen eingesetzt werden?
Ja, er arbeitet mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V und ist damit für Hochspannungsschaltungen geeignet.
Welche Überlegungen sollten hinsichtlich der Verlustleistung angestellt werden?
Die Verlustleistung kann bis zu 57 W betragen, mit einem Derating-Faktor von 0,38 W/°C, um einen sicheren Betrieb unter verschiedenen thermischen Bedingungen zu gewährleisten.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 25 A 57 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 18 A 57 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 28 A 68 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 42 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-252