Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
913-3803
Herst. Teile-Nr.:
IRLU024NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.39 mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 17A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 55V maximale Drain-Source-Spannung - IRLU024NPBF


Dieser MOSFET ist ein hochleistungsfähiges Leistungsbauelement, das speziell für anspruchsvolle Anwendungen in der Elektro- und Maschinenbauindustrie entwickelt wurde. Er verfügt über eine Enhancement-Mode-Konfiguration und arbeitet effektiv innerhalb eines Temperaturbereichs von -55°C bis +175°C. Mit seinen kompakten Abmessungen von 6,73 mm Länge, 2,39 mm Breite und 6,22 mm Höhe lässt er sich leicht in verschiedene elektronische Aufbauten integrieren.

Eigenschaften und Vorteile


• Erreicht einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 17A

• Bietet eine maximale Drain-Source-Spannung von 55 V

• Unterstützt eine maximale Verlustleistung von 45 W

• Robuste Konstruktion für Hochtemperaturanwendungen geeignet

• Kompatibel mit Durchgangslochmontage für vielseitige Installation

Anwendungen


• Einsatz in Motorsteuerungssystemen zur präzisen Regelung

• Geeignet für Schaltnetzteile zur effizienten Energieumwandlung

• Effektiv in industriellen Automatisierungsanlagen für zuverlässige Leistung

• Einsatz in der Unterhaltungselektronik zur Verbesserung des Energiemanagements

• Ideal für Power-Management-Schaltungen, die einen hohen Strom benötigen

Welche Bedeutung hat der Einschaltwiderstand in diesem Gerät?


Der niedrige Rds(on) von 65mΩ sorgt für einen minimalen Energieverlust während des Betriebs und verbessert die Gesamteffizienz von Schaltungen, die mit diesem speziellen Bauelement entwickelt wurden. Diese Eigenschaft unterstützt auch die Kapazität für höhere Ströme ohne Überhitzungsprobleme in elektronischen Anwendungen.

Wie verhält sich dieser MOSFET in Hochtemperaturumgebungen?


Dieses Gerät ist für einen zuverlässigen Betrieb bei Temperaturen von -55°C bis +175°C ausgelegt und eignet sich daher für Umgebungen mit starker thermischer Belastung, wie z. B. Industriemaschinen und Automobilanwendungen.

Kann er gepulste Ableitströme verarbeiten?


Ja, der Baustein unterstützt gepulste Drain-Ströme von bis zu 72 A und bietet damit Flexibilität bei verschiedenen dynamischen Schaltanwendungen, bei denen kurze Stromstöße mit hohem Strom erforderlich sind.

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