Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 135 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 495-760
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-29-640
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLU8743PBF
- Marke:
- Infineon
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- IRLU8743PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 160A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 135W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 160A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 135W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 160A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 135W maximale Verlustleistung - IRLU8743PBF
Dieser MOSFET ist ein Anreicherungsmodus-Bauelement, das für effiziente Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er nutzt eine fortschrittliche Technologie, um auch im Hochfrequenzbereich gute Leistungen zu erbringen und eignet sich daher für das Energiemanagement in verschiedenen industriellen Szenarien. Mit seinen beeindruckenden Spezifikationen bewältigt er effektiv hohe Stromlasten bei gleichzeitig niedrigem Widerstand und gewährleistet so Leistung unter verschiedenen Bedingungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert den Leistungsverlust während des Betriebs
• Hoher kontinuierlicher Drainstrom von 160 A unterstützt große Lasten
• Spannungsbereich bis zu 30V ermöglicht vielfältige Anwendungen
• Entworfen mit einem IPAK TO-251-Gehäuse für eine einfache Installation
• Vollständig charakterisierte Lawinenkapazitäten erhöhen die Betriebssicherheit
Anwendungsbereich
• Synchrone Hochfrequenz-Abwärtswandler
• Isolierte DC-DC-Wandler in industriellen Umgebungen
• Energieverwaltungssysteme für Computerprozessoren
• Hochstrom-Stromversorgung
Wie verhält sie sich in Umgebungen mit hohen Temperaturen?
Das Gerät arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung unter extremen Bedingungen.
Welche Bedeutung hat ein niedriger RDS(on) für meinen Entwurf?
Ein niedriger RDS(on)-Wert minimiert Leitungsverluste und fördert so eine effiziente Energienutzung und ein effektives Wärmemanagement, was für Hochstromanwendungen unerlässlich ist.
Kann es für Impulsanwendungen verwendet werden?
Ja, sein Design unterstützt die Verarbeitung von gepulstem Strom, wodurch er sich für verschiedene Anwendungen eignet, die ein Einschwingverhalten erfordern.
Welche Faktoren sollte ich bei der Installation berücksichtigen?
Um die Leistung zu optimieren, ist es wichtig, ein angemessenes Wärmemanagement sicherzustellen und die Kompatibilität mit den Spannungs- und Stromspezifikationen des Schaltkreises zu überprüfen.
Werden zusätzliche Komponenten für die Torsteuerung benötigt?
Die Integration von Gate-Drive-Schaltungen kann vorteilhaft sein, um die Schaltleistung zu verbessern, insbesondere bei Hochfrequenzanwendungen.
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