Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
165-5600
Herst. Teile-Nr.:
IRLR024NTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


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