Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin IRFU024NPBF IPAK

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RS Best.-Nr.:
168-6296
Herst. Teile-Nr.:
IRFU024NPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

75mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Breite

2.39 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 17A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 45W maximale Verlustleistung - IRFU024NPBF


Dieser leistungsstarke n-Kanal-MOSFET ist für verschiedene elektrische Anwendungen geeignet. Mit Spezifikationen wie einem maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 17 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V ist dieses Bauteil wichtig für Fachleute in den Bereichen Automatisierung und Elektronik. Seine Fähigkeit, in Hochtemperaturumgebungen zu arbeiten, trägt zu seiner Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen Projekten bei.

Eigenschaften und Vorteile


• Maximale Verlustleistung von bis zu 45 W für robusten Betrieb

• Niedriger Drain-Source-Widerstand von 75 mΩ verbessert die Energieeffizienz

• Maximale Gate-Schwelle von 4 V für verbesserte Leistung

• Ein-Transistor-Konfiguration vereinfacht die Designintegration

• Entwickelt für die Durchsteckmontage in einem TO-251-Gehäuse für eine einfache Installation

Anwendungsbereich


• Einsatz in Energieverwaltungssystemen zur Steigerung der Effizienz

• Ideal für Hochfrequenzschaltungen

• Geeignet für Kfz-Elektronik, um eine gleichbleibende Leistung zu gewährleisten

• Beschäftigt in der industriellen Automatisierung für Steuerungssysteme

• Geeignet für die Telekommunikation zur Wahrung der Signalintegrität

Wie hoch ist der maximal zulässige Dauerstrom?


Der maximale unterstützte Dauerstrom beträgt 17 A, wodurch er sich für verschiedene Anwendungen eignet, die eine hohe Leistung erfordern.

Wie wirkt sich die Temperatur auf die Leistung aus?


Das Bauteil arbeitet effektiv in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und gewährleistet Stabilität unter extremen Bedingungen.

Kann er mit unterschiedlichen Gate-Source-Spannungen umgehen?


Ja, er kann Gate-Source-Spannungen von -20 V bis +20 V aufnehmen und bietet damit Flexibilität beim Schaltungsdesign.

Was sind die Auswirkungen eines niedrigen Drain-Source-Widerstands?


Ein niedriger Drain-Source-Widerstand von 75 mΩ führt zu einer geringeren Wärmeentwicklung und einem verbesserten Wirkungsgrad, was für Hochleistungsanwendungen entscheidend ist.

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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