Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 55 V / 110 A 200 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4763
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3205PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 919-4763
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3205PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 146nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Länge | 10.54mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 146nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.69mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Länge 10.54mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 110A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 55V maximale Drain-Source-Spannung - IRF3205PBF
Dieser HEXFET-MOSFET ist ein Hochleistungsbauteil der Leistungselektronik, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine N-Kanal-Konfiguration mit einem maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 110 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 55 V. Das TO-220AB-Gehäuse gewährleistet ein effizientes Wärmemanagement und eignet sich für den Einsatz in einer Vielzahl von industriellen Umgebungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Geeignet für den Betrieb bei hohen Temperaturen bis zu +175°C
• Bietet schnelle Schalteigenschaften für verbesserte Leistung
• Hervorragende Lawinenklassifizierung für zusätzliche Haltbarkeit
• Das Enhancement-Mode-Design sorgt für einen stabilen Betrieb
• Konzipiert für die einfache Verwendung bei der Durchgangslochmontage
Anwendungen
• Für die Leistungsumwandlung in Stromversorgungen verwendet
• Geeignet für Motorsteuerung
• Verwendet in Batteriemanagementsystemen
• Anwendung in Hochfrequenz-Schaltkreisen
• Integriert in Stromversorgungssysteme der Unterhaltungselektronik
Welche thermischen Eigenschaften sollten bei diesem Bauteil berücksichtigt werden?
Der Wärmewiderstand von der Anschlussstelle zum Gehäuse beträgt 0,75°C/W, und die Verbindung von Gehäuse zu Senke kann bis zu 0,50°C/W betragen, wenn sie auf einer flachen, gefetteten Oberfläche angebracht wird. Dies ist entscheidend für die Aufrechterhaltung einer optimalen Leistung bei hoher Belastung.
Wie können die Spezifikationen die Gesamtleistung beeinflussen?
Der niedrige On-Widerstand und der hohe kontinuierliche Drain-Strom ermöglichen eine reduzierte Verlustleistung und einen verbesserten thermischen Wirkungsgrad, was zu einer erhöhten Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen führt.
Welche Methoden können zur effektiven Wärmeabfuhr eingesetzt werden?
Die Verwendung eines Kühlkörpers in Verbindung mit dem TO-220AB-Gehäuse kann die Wärmeableitung während des Betriebs erheblich verbessern und gewährleistet, dass das Gerät innerhalb sicherer thermischer Grenzen bleibt.
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