Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263

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RS Best.-Nr.:
257-9273
Herst. Teile-Nr.:
IRF1404STRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

162A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 40-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Optimiert für 10-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Normalpegel)

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)

Kann wellenförmig gelötet werden

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