Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 162 A 200 W, 3-Pin AUIRF1404STRL TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7341
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404STRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.11.046
Auf Lager
- Zusätzlich 698 Einheit(en) mit Versand ab 31. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 + | CHF.5.523 | CHF.11.06 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7341
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404STRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 162A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 162A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon AUIRF1404STRL wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt, dieser Streifen. Er verfügt über ein planares Design von HEXFET-Leistungs-MOSFETs, das die neuesten Verarbeitungstechniken verwendet, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Advanced Planar Technology
Dynamische dV/dT-Nennleistung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Voll-Avalanche-Bewertung
Wiederholte Lawinen erlaubt bis zu Tjmax
Bleifrei, RoHS-konform
Für Kraftfahrttechnik geeignet
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 162 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 100 V / 73 A, 2-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 75 V / 62 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 270 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 20 V / 5,6 A, 2-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 162 A D2Pak
- Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 57 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)