Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 162 A 200 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7341
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404STRL
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7341
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404STRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 162A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 162A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon AUIRF1404STRL wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt, dieser Streifen. Er verfügt über ein planares Design von HEXFET-Leistungs-MOSFETs, das die neuesten Verarbeitungstechniken verwendet, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Advanced Planar Technology
Dynamische dV/dT-Nennleistung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Voll-Avalanche-Bewertung
Wiederholte Lawinen erlaubt bis zu Tjmax
Bleifrei, RoHS-konform
Für Kraftfahrttechnik geeignet
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