Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 162 A 200 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 220-7340
Herst. Teile-Nr.:: AUIRF1404STRL
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 162 A 200 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7340
Herst. Teile-Nr.:: AUIRF1404STRL
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	162A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	200W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	160nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	4.83mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	9.65 mm
	Länge	10.67mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 162A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 200W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 4.83mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 9.65 mm
	Länge 10.67mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - AUIRF1404STRL

Der Infineon AUIRF1404STRL wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt, dieser Streifen. Er verfügt über ein planares Design von HEXFET-Leistungs-MOSFETs, das die neuesten Verarbeitungstechniken verwendet, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.

Advanced Planar Technology

Dynamische dV/dT-Nennleistung

175 °C Betriebstemperatur

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Voll-Avalanche-Bewertung

Wiederholte Lawinen erlaubt bis zu Tjmax

Bleifrei, RoHS-konform

Für Kraftfahrttechnik geeignet

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 162 A 200 W, 3-Pin TO-263

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