Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 20 V / 5.6 A 2 W, 2-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7501
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLMS6802TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7501
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLMS6802TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 1 mm | |
| Höhe | 3mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 1 mm | ||
Höhe 3mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon P-Kanal-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Mit diesem Vorteil steht dem Konstrukteur ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in Batterie- und Lastmanagement-Anwendungen zur Verfügung. Das Micro6-Gehäuse mit seinem kundenspezifischen Kabelrahmen erzeugt einen HEXFET ® -Leistungs-MOSFET mit RDS(on) 60 % weniger als ein SOT-23 in ähnlicher Größe. Dieses Gehäuse ist ideal für Anwendungen, bei denen der Platz auf der Leiterplatte sehr knapp ist. Das einzigartige thermische Design und die RDS(on)-Reduzierung ermöglichen eine Strombelastungssteigerung von fast 300 % im Vergleich zum SOT-23.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
P-Kanal-MOSFET
Oberflächenmontage
Erhältlich in Band und Rolle
Bleifrei
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