Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 20 V / 5.6 A 2 W, 2-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 220-7500
Herst. Teile-Nr.:: IRLMS6802TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 20 V / 5.6 A 2 W, 2-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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6000 - 6000	CHF.0.137	CHF.409.50
9000 +	CHF.0.126	CHF.393.75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 220-7500
Herst. Teile-Nr.:: IRLMS6802TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	2
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	50mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	16nC
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	1 mm
	Höhe	3mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 2
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 1 mm
	Höhe 3mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRLMS6802TRPBF

Die Infineon P-Kanal-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Mit diesem Vorteil steht dem Konstrukteur ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in Batterie- und Lastmanagement-Anwendungen zur Verfügung. Das Micro6-Gehäuse mit seinem kundenspezifischen Kabelrahmen erzeugt einen HEXFET ® -Leistungs-MOSFET mit RDS(on) 60 % weniger als ein SOT-23 in ähnlicher Größe. Dieses Gehäuse ist ideal für Anwendungen, bei denen der Platz auf der Leiterplatte sehr knapp ist. Das einzigartige thermische Design und die RDS(on)-Reduzierung ermöglichen eine Strombelastungssteigerung von fast 300 % im Vergleich zum SOT-23.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand

P-Kanal-MOSFET

Oberflächenmontage

Erhältlich in Band und Rolle

Bleifrei

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 20 V / 5.6 A 2 W, 2-Pin TO-263

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