Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 73 A 190 W, 2-Pin IRFS4610TRLPBF TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7498
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4610TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.13.81
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.762 | CHF.13.80 |
| 25 - 45 | CHF.2.405 | CHF.12.00 |
| 50 - 120 | CHF.2.237 | CHF.11.18 |
| 125 - 245 | CHF.2.10 | CHF.10.49 |
| 250 + | CHF.1.932 | CHF.9.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7498
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4610TRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 73A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 140nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 190W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 73A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 140nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 190W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Industriestandard-Qualifikationsebene
Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch
Hohe Strombelastbarkeit
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