Infineon HEXFET IRFS4010-7PPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 A 380 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
688-7086
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4010-7PPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

190 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

380 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

150 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

HEXFET

Höhe

4.55mm

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