Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W IRF1404STRLPBF TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.4.158

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 728 Einheit(en) mit Versand ab 31. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18CHF.2.079CHF.4.16
20 - 48CHF.1.953CHF.3.92
50 - 98CHF.1.848CHF.3.71
100 - 198CHF.1.701CHF.3.41
200 +CHF.1.575CHF.3.16

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-9274
Herst. Teile-Nr.:
IRF1404STRLPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

162A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-40-515

Die IRF-Serie von Infineon ist das 40-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Optimiert für 10-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Normalpegel)

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)

Kann wellenförmig gelötet werden

Verwandte Links