Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-9274
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-515
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404STRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9274
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-515
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF1404STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 162A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 162A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist das 40-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Optimiert für 10-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Normalpegel)
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)
Kann wellenförmig gelötet werden
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