Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 165-8030
Herst. Teile-Nr.:: IRFR4620TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 165-8030
Herst. Teile-Nr.:: IRFR4620TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	78mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	144W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.73mm
	Breite	7.49mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	2.39mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 78mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 144W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.73mm
	Breite 7.49mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 2.39mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 24 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFR4620TRLPBF

Dieser n-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der für Schalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, wodurch er sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen eignet, und bietet Hochspannungsschaltfunktionen für Anwendungen, die eine robuste Drain-Source-Leistung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 200 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 24 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• Rds(on) von 78 mΩ sorgt für geringe Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 25 nC ermöglicht eine schnelle Gate-Umschaltung
• 144 W maximale Verlustleistung bewältigt erhebliche thermische Belastung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebsschaltstufen in industriellen Systemen
• Wird mit Batteriemanagement-Schaltkreisen verwendet, die eine Toleranz von 200 V erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Leistungsmodulen verwendet werden

Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine schnelle Schaltung erforderlich?

Verwenden Sie einen Treiber, der in der Lage ist, Ströme zu versorgen und zu senken, um das Gate innerhalb des typischen Gesamtbudgets für die Gate-Ladung von 25 nC aufzuladen, um die Schaltgeschwindigkeit und die Übergangsverluste zu minimieren.

Wie wirkt sich das Wärmemanagement auf den Dauerbetrieb bei hohen Strömen aus?

Um den Dauerstrom von 24 A und die Verlustleistung von bis zu 144 W aufrechtzuerhalten, sorgen Sie für eine ausreichende Leiterplatten-Kupferfläche oder einen Kühlkörper und halten Sie die Sperrschichttemperaturen innerhalb des angegebenen Betriebsbereichs aufrecht.

Was sind die Grenzwerte für Gate- und Drain-Spannungen, um Schäden zu vermeiden?

Halten Sie die Gate-to-Source-Spannung innerhalb von ±20 V und stellen Sie sicher, dass der Drain-to-Source unter allen Betriebsbedingungen niemals die maximale Nennspannung von 200 V überschreitet.

Wie verhält sich das Gerät in kalten und heißen Umgebungen?

Er ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C, sodass die Auslegungsgrenzen Parameterverschiebungen wie Widerstandsänderungen über diesen Temperaturbereich berücksichtigen sollten.