Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 150 V / 33 A 144 W IRFR4615TRLPBF TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-5867
Herst. Teile-Nr.:: IRFR4615TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 150 V / 33 A 144 W IRFR4615TRLPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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50 - 120	CHF.1.04	CHF.5.19
125 - 245	CHF.0.966	CHF.4.85
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RS Best.-Nr.:: 257-5867
Herst. Teile-Nr.:: IRFR4615TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	33A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Leiterplattenmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	34mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	144W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	26nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Leiterplattenmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 34mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 144W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFR4615TRLPBF

Die Leistungs-MOSFETs aus Infineons IR MOSFET-Familie basieren auf bewährten Siliziumprozessen und bieten Entwicklern ein breites Portfolio an Bauelementen für verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, Schaltnetzteile, Beleuchtungen, Lastschalter und batteriebetriebene Anwendungen. Die Bauelemente sind in einer Vielzahl von oberflächenmontierten und durchkontaktierten Gehäusen mit Industriestandard-Footprints zur Vereinfachung des Designs erhältlich.

Planare Zellstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Industriestandardgehäuse für Oberflächenmontage

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 150 V / 33 A 144 W IRFR4615TRLPBF TO-252

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