Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 144 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4679
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N08S405ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.14.19
Auf Lager
- Zusätzlich 11'390 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 2.838 | CHF 14.19 |
| 50 - 120 | CHF 2.697 | CHF 13.50 |
| 125 - 245 | CHF 2.636 | CHF 13.20 |
| 250 - 495 | CHF 2.444 | CHF 12.23 |
| 500 + | CHF 2.273 | CHF 11.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4679
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N08S405ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 144W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 144W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Green Product (RoHS-konform)
MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 144 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 1.9 A 42 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 51 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.7 A 83 W, 3-Pin TO-252