Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 1.9 A 42 W, 3-Pin IPD80R2K8CEATMA1 TO-252

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222-4675
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R2K8CEATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

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