Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 1.9 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4675
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R2K8CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
75 weitere Einheiten hinzufügen, um 4% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*
CHF 13.64
- Zusätzlich 1'875 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Stück | Pro Stück | Pro Packung* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF 0.909 | CHF 13.66 | - |
| 75 - 135 | CHF 0.869 | CHF 12.99 | 4% |
| 150 - 360 | CHF 0.828 | CHF 12.44 | 8% |
| 375 - 735 | CHF 0.788 | CHF 11.88 | 13% |
| 750 + | CHF 0.737 | CHF 11.07 | 18% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4675
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R2K8CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 1.9 A 42 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 1.9 A 18 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 144 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 1.9 A 6.1 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 51 W, 3-Pin TO-252
