Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 51 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
222-4670
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R280CFD7ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

51W

Durchlassspannung Vf

1V

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Green Product (RoHS-konform)

MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert

OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen

Verwandte Links