Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 51 A 76 W, 3-Pin IPD60R170CFD7ATMA1 TO-252

RS Best.-Nr.:: 220-7407
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R170CFD7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 51 A 76 W, 3-Pin IPD60R170CFD7ATMA1 TO-252

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RS Best.-Nr.:: 220-7407
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R170CFD7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	51A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	CoolMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	170mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	28nC
	Maximale Verlustleistung Pd	76W
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22 mm
	Höhe	2.41mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 51A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie CoolMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC
	Maximale Verlustleistung Pd 76W
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22 mm
	Höhe 2.41mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD60R170CFD7ATMA1

Der Infineon 600 V Cool MOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS 7-Serie kompletzt. Cool MOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss

Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen

Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung

Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien

Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss

Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 51 A 76 W, 3-Pin IPD60R170CFD7ATMA1 TO-252

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