Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10.6 A 83 W, 3-Pin IPD60R380C6ATMA1 TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD60R380C6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS C6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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