Infineon CoolMOS C6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10.6 A 83 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
911-4993
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R380C6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS C6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Durchlassspannung Vf

900mV

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.41mm

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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