Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 77 A 481 W, 3-Pin IPW60R041C6FKSA1 TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
IPW60R041C6FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS C6

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

481W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

290nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

16.13mm

Höhe

21.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.21 mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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