Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 13 A 77 W, 4-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4683
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R185C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4683
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R185C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 185mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 77W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 77W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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