Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 22.4 A 176 W, 5-Pin VSON

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RS Best.-Nr.:
214-9073
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R180P6AUMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

22.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS P6

Gehäusegröße

VSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

176W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Breite

8.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS P6-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.

Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit

Einfach zu verwenden/zu treiben

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