Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 23.8 A 176 W, 3-Pin IPB60R160P6ATMA1 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IPB60R160P6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS P6

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

176W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.45mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.31mm

Breite

4.57 mm

Automobilstandard

Nein

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