Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 16 A 95 W, 5-Pin IPL60R160CFD7AUMA1 VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9072
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R160CFD7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.384 | CHF.11.94 |
| 25 - 45 | CHF.2.174 | CHF.10.87 |
| 50 - 120 | CHF.2.027 | CHF.10.15 |
| 125 - 245 | CHF.1.89 | CHF.9.43 |
| 250 + | CHF.1.764 | CHF.8.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9072
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R160CFD7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 95W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 95W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 8.1 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS CFD7 ist der Nachfolger der CoolMOS CFD2-Serie und ist eine optimierte Plattform, die auf weiche Schaltanwendungen wie Phasenverschiebung Vollbrücke (ZVS) und LLC zugeschnitten ist. Die CoolMOS CFD7-Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte. Insgesamt macht CoolMOS CFD7 resonante Schalttopologien effizienter, zuverlässiger, leichter und kühler.
Ultraschnelle Gehäusediode
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