Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 16 A 95 W, 5-Pin VSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.11.655

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20CHF.2.331CHF.11.66
25 - 45CHF.2.121CHF.10.61
50 - 120CHF.1.985CHF.9.90
125 - 245CHF.1.838CHF.9.21
250 +CHF.1.722CHF.8.63

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-9072
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R160CFD7AUMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS CFD7

Gehäusegröße

VSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Verlustleistung Pd

95W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

8.1 mm

Länge

8.1mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS CFD7 ist der Nachfolger der CoolMOS CFD2-Serie und ist eine optimierte Plattform, die auf weiche Schaltanwendungen wie Phasenverschiebung Vollbrücke (ZVS) und LLC zugeschnitten ist. Die CoolMOS CFD7-Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte. Insgesamt macht CoolMOS CFD7 resonante Schalttopologien effizienter, zuverlässiger, leichter und kühler.

Ultraschnelle Gehäusediode

Niedrige Gateladung

Verwandte Links