Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 38 A 178 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 215-2564
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R055CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.7.77 | CHF.15.55 |
| 10 - 18 | CHF.6.678 | CHF.13.36 |
| 20 - 48 | CHF.6.216 | CHF.12.42 |
| 50 - 98 | CHF.5.838 | CHF.11.67 |
| 100 + | CHF.5.366 | CHF.10.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2564
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R055CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 55mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 178W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 55mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 178W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600V Cool MOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS7-Serie kompletzt. Cool MOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss
Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen
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