Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-5978
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R280CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.61.10
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.222 | CHF.61.21 |
| 100 - 200 | CHF.0.99 | CHF.49.59 |
| 250 - 450 | CHF.0.929 | CHF.46.51 |
| 500 - 950 | CHF.0.879 | CHF.44.09 |
| 1000 + | CHF.0.848 | CHF.42.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-5978
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R280CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS CFD7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS CFD7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600V CoolMOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die CoolMOS 7-Serie komplettierende. CoolMOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 255 W, 3-Pin TO-247
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 31 A 156 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 92 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 38 A 178 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 50 A 227 W, 3-Pin TO-247
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 85 W, 5-Pin ThinPAK
- Infineon 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 63 A 347 W, 8-Pin