Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 85 W, 5-Pin ThinPAK
- RS Best.-Nr.:
- 215-2521
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R185CFD7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.3’120.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.1.04 | CHF.3’118.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2521
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R185CFD7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Gehäusegröße | ThinPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 185mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 85W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 8.1mm | |
| Höhe | 8.1mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Gehäusegröße ThinPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 185mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 85W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 8.1mm | ||
Höhe 8.1mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V Cool MOS TM CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS7-Serie kompletzt. Cool MOS TM CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.
Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss
Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen
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