Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 92 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.21.41

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 200 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 5CHF.4.282CHF.21.39
10 - 20CHF.3.596CHF.17.98
25 - 45CHF.3.384CHF.16.91
50 - 120CHF.3.121CHF.15.62
125 +CHF.2.909CHF.14.55

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-9115
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R125CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS CFD7

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

92W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Höhe

21.1mm

Länge

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS-Serie ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste CoolMOS CFD7 ist der Nachfolger der CoolMOS CFD2-Serie und ist eine optimierte Plattform, die auf weiche Schaltanwendungen wie Phasenverschiebung Vollbrücke (ZVS) und LLC zugeschnitten ist. Die CoolMOS CFD7-Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte. Insgesamt macht CoolMOS CFD7 resonante Schalttopologien effizienter, zuverlässiger, leichter und kühler.

Ultraschnelle Gehäusediode

Niedrige Gateladung

Verwandte Links