Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 92 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-3067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.3.939 | CHF.19.70 |
| 10 - 20 | CHF.3.545 | CHF.17.74 |
| 25 - 45 | CHF.3.313 | CHF.16.54 |
| 50 - 120 | CHF.3.07 | CHF.15.37 |
| 125 + | CHF.2.879 | CHF.14.37 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Höhe 9.45mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V CoolMOSª CFD7 N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologien entwickelt wurde.
Ultraschnelle Gehäusediode
Niedrige Gateladung
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte MOSFET-Sperrdiode dv/dt und DIF/dt-Robustheit
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