Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 92 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-3067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.18.325
Auf Lager
- 435 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.3.665 | CHF.18.33 |
| 10 - 20 | CHF.3.297 | CHF.16.51 |
| 25 - 45 | CHF.3.077 | CHF.15.39 |
| 50 - 120 | CHF.2.856 | CHF.14.30 |
| 125 + | CHF.2.678 | CHF.13.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R125CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Höhe 9.45mm | ||
Breite 4.57 mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600 V CoolMOSª CFD7 N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologien entwickelt wurde.
Ultraschnelle Gehäusediode
Niedrige Gateladung
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte MOSFET-Sperrdiode dv/dt und DIF/dt-Robustheit
Verwandte Links
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 92 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 9 A 52 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 9 A 52 W, 3-Pin IPP60R280CFD7XKSA1 TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 11 A 32 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 600 V / 8 A 26 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 11 A 32 W, 3-Pin IPA60R125CFD7XKSA1 TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 600 V / 8 A 26 W, 3-Pin IPA60R170CFD7XKSA1 TO-220
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 92 W, 3-Pin IPW60R125CFD7XKSA1