Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 9 A 52 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-3069
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R280CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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| 10 - 40 | CHF.1.99 | CHF.19.88 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3069
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R280CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.45mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS TM CFD7. Der CoolMOS TM CFD7 verfügt über eine reduzierte Gate-Ladung (Qg), ein verbessertes Abschaltverhalten und eine Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % im Vergleich zur Konkurrenz sowie die niedrigste Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.
Ultraschnelle Gehäusediode
Niedrige Gateladung
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte MOSFET-Sperrdiode dv/dt und DIF/dt-Robustheit
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