Teile-Nr.

Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 9 A 52 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 218-3068
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R280CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 9 A 52 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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50 - 50	CHF.1.407	CHF.70.61
100 - 200	CHF.1.145	CHF.57.23
250 - 450	CHF.1.071	CHF.53.66
500 - 950	CHF.1.019	CHF.50.87
1000 +	CHF.0.977	CHF.48.72

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 218-3068
Herst. Teile-Nr.:: IPP60R280CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	600V CoolMOS CFD7
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	280mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	18nC
	Maximale Verlustleistung Pd	52W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	10.36mm
	Höhe	9.45mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.57 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie 600V CoolMOS CFD7
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC
	Maximale Verlustleistung Pd 52W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 10.36mm
	Höhe 9.45mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.57 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPP60R280CFD7XKSA1

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS TM CFD7. Der CoolMOS TM CFD7 verfügt über eine reduzierte Gate-Ladung (Qg), ein verbessertes Abschaltverhalten und eine Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % im Vergleich zur Konkurrenz sowie die niedrigste Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode

Niedrige Gateladung

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte MOSFET-Sperrdiode dv/dt und DIF/dt-Robustheit

Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 9 A 52 W, 3-Pin TO-220

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