Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 22.4 A 176 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9074
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R180P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.069 | CHF.10.33 |
| 50 - 120 | CHF.1.964 | CHF.9.83 |
| 125 - 245 | CHF.1.88 | CHF.9.41 |
| 250 - 495 | CHF.1.838 | CHF.9.18 |
| 500 + | CHF.1.785 | CHF.8.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9074
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R180P6AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 176W | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 176W | ||
Breite 8.1 mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS P6-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Die angebotenen Geräte bieten alle Vorteile eines schnellen SJ-MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit. Extrem niedrige Schalt- und Leitungsverluste machen Schaltanwendungen noch effizienter, kompakter, leichter und kühler.
Erhöhte MOSFET-dv/dt-Robustheit
Einfach zu verwenden/zu treiben
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