Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 77.5 A 481 W, 3-Pin IPW60R041P6FKSA1 TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.11.624

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 359 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.11.62
10 - 24CHF.11.05
25 - 49CHF.10.57
50 - 99CHF.10.11
100 +CHF.9.41

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4721
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R041P6FKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

41mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

481W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Breite

21.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.21mm

Länge

16.13mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

Verwandte Links