Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 83 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4704
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.95.05
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.901 | CHF.95.03 |
| 100 - 200 | CHF.1.743 | CHF.87.41 |
| 250 + | CHF.1.659 | CHF.82.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4704
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 145mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.95 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 145mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.95 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 83 W, 3-Pin IPP60R145CFD7XKSA1 TO-220
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10.6 A 83 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10.6 A 83 W, 3-Pin IPD60R380C6ATMA1 TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A, 3-Pin IPA60R099P6XKSA1 TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin IPA60R180C7XKSA1 TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A, 3-Pin TO-220