Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 83 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4705
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.22.42
Auf Lager
- Zusätzlich 355 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 4.484 | CHF 22.42 |
| 25 - 45 | CHF 3.949 | CHF 19.74 |
| 50 - 120 | CHF 3.676 | CHF 18.40 |
| 125 - 245 | CHF 3.454 | CHF 17.27 |
| 250 + | CHF 3.182 | CHF 15.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4705
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R145CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 145mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.95mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 145mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.95mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A 83 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10.6 A 83 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 8 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 83 W, 3-Pin TO-220