Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 6 A 83 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 110-7776
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP06N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 110-7776
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP06N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Länge | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC1 | |
| Breite | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Länge 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC1 | ||
Breite 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOSTMC3 Leistungs-MOSFET
MOSFET-Transistoren, Infineon
Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.
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