Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.7 A 83 W, 3-Pin IPD80R1K0CEATMA1 TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.10.08

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2’260 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +CHF.1.008CHF.10.08

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
914-0223
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R1K0CEATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

950mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon CoolMOS™ CE Series MOSFET, 5,7A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 83W maximale Verlustleistung - IPD80R1K0CEATMA1


Dieser MOSFET bietet Lösungen für das Leistungsmanagement und die allgemeine Elektronik und nutzt die fortschrittliche CoolMOS CE-Technologie mit Hochspannungsfähigkeiten bis zu 800 V. Er zeichnet sich durch einen hohen Wirkungsgrad und einen niedrigen Durchlasswiderstand aus, wodurch das Design optimiert und die Zuverlässigkeit erhöht wird.

Eigenschaften und Vorteile


• Erhöhte Leistungsdichte ermöglicht kompaktere Systemdesigns

• Geringerer Kühlungsbedarf führt zu Kosteneinsparungen bei den Systemen

• Niedrigere Betriebstemperaturen erhöhen die Zuverlässigkeit des Systems

• Hohe Spitzenstromfähigkeit unterstützt anspruchsvolle Anwendungen

• Zuverlässiger dv/dt-Wert gewährleistet Stabilität bei schnellen Spannungsänderungen

• Entspricht den RoHS-Normen für umweltverträglichen Einsatz

Anwendungsbereich


• Verwendung in LED-Beleuchtungslösungen für Nachrüstungsinstallationen

• Geeignet für QR-Flyback-Topologie in Stromversorgungen

• Wirksam in Kraftfahrzeug-Stromverteilungssystemen

• Ideal für verschiedene industrielle Hochspannungsanwendungen

Wie verbessert der MOSFET die Systemleistung beim Energiemanagement?


Sie verbessert die Leistungsdichte und verringert die thermischen Anforderungen, was zu einem höheren Wirkungsgrad und geringeren Energieverlusten im Betrieb führt.

Welche Vorteile bietet die Verwendung dieses Geräts in LED-Beleuchtungsanwendungen?


Es bietet eine zuverlässige Leistung bei geringerer Wärmeentwicklung und trägt so zur Langlebigkeit und Stabilität von Beleuchtungssystemen bei.

Ist dies mit Hochfrequenzanwendungen kompatibel?


Ja, seine niedrige Gate-Ladung und sein hoher Spitzenstrom machen ihn für Hochfrequenzbetrieb geeignet und sorgen für minimale Schaltverluste.

Wie hoch ist der maximale kontinuierliche Ableitstrom für dieses Gerät?


Der maximale Dauerstrom liegt bei 5,7 A und eignet sich damit für verschiedene stromintensive Anwendungen.

In welchem Temperaturbereich kann es arbeiten?


Er arbeitet effektiv zwischen -55°C und +150°C und ist vielseitig in verschiedenen Umgebungen einsetzbar.

Verwandte Links