Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 63 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 911-0733
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP04N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- 911-0733
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP04N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 15.95mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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