Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 30.5 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 906-4498
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA02N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 906-4498
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA02N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.85mm | |
| Länge | 10.85mm | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.85mm | ||
Länge 10.85mm | ||
Höhe 16.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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