Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 278 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 165-8106
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099C6FKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.106.17
Auf Lager
- 30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.3.539 | CHF.106.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8106
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R099C6FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C6 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 119nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS C6 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 119nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 278 W, 3-Pin IPW60R099C6FKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS P6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 109 A 278 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 77 A 481 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin IPW60R190C6FKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 77 A 481 W, 3-Pin IPW60R041C6FKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 35 W, 3-Pin IPP60R099C6XKSA1 TO-220