Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 51 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4671
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.04 | CHF.10.41 |
| 50 - 90 | CHF.0.987 | CHF.9.89 |
| 100 - 240 | CHF.0.945 | CHF.9.47 |
| 250 - 490 | CHF.0.903 | CHF.9.06 |
| 500 + | CHF.0.84 | CHF.8.43 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4671
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 51W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 51W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Green Product (RoHS-konform)
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